Surfactant adsorption site and growth mechanism of Ge- on Ga-terminated Si(111).

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Ga端Si(111)上Ge的表面活性剂吸附位点和生长机制。

DOI:
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发表时间:
1996
期刊:
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子:
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通讯作者:
Materlik
Materlik
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Falta;Schmidt;Hille;Materlik

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