Schottky diode characteristics on high-growth rate LPCVD β -Ga 2 O 3 films on (010) and (001) Ga 2 O 3 substrates
Schottky diode characteristics on high-growth rate LPCVD β -Ga 2 O 3 films on (010) and (001) Ga 2 O 3 substrates
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(010) 和 (001) Ga 2 O 3 基板上高生长速率 LPCVD β -Ga 2 O 3 薄膜上的肖特基二极管特性
DOI：
10.1063/5.0083659
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Singisetti, Uttam
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Saha, Sudipto;Meng, Lingyu;Feng, Zixuan;Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.;Zhao, Hongping;Singisetti, Uttam
