Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure
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InSb/Ga0.35In0.65Sb复合沟道结构的电子传输性能
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. I. Fujishiro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Fujikawa;T. Iwaki;Y. Harada;J.Takeuchi;Y.Endoh;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;and A. Kasamatsu;H. I. Fujishiro
