On the preparation of semi-insulating SiC bulk crystals by the PVT technique
On the preparation of semi-insulating SiC bulk crystals by the PVT technique
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DOI：
10.1016/s0169-4332(01)00481-0
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发表时间：
2001-12
影响因子：
6.7
通讯作者：
M. Bickermann;D. Hofmann;T. Straubinger;R. Weingärtner;P. Wellmann;A. Winnacker
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Bickermann;D. Hofmann;T. Straubinger;R. Weingärtner;P. Wellmann;A. Winnacker
