High Sn-concentration (~ 8%) GeSn by low-temperature (~ 150 °C) solid-phase epitaxy of a-GeSn/c-Ge
High Sn-concentration (~ 8%) GeSn by low-temperature (~ 150 °C) solid-phase epitaxy of a-GeSn/c-Ge
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DOI：
10.1016/j.tsf.2015.09.069
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发表时间：
2016-03
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Sadoh;A. Ooato;J. Park;M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sadoh;A. Ooato;J. Park;M. Miyao
