Influence of nitrogen resonant states on the electronic structure of GaNxAs1−x
Influence of nitrogen resonant states on the electronic structure of GaNxAs1−x
复制标题
氮共振态对 GaNxAs1−x 电子结构的影响
DOI：
10.1016/s0038-1098(01)00064-3
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发表时间：
2001
影响因子：
2.1
通讯作者：
E. O’Reilly
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Lindsay;E. O’Reilly
