Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate
Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate
复制标题
SiC衬底石墨烯缓冲层下氢原子行为的理论研究
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Nara;T. Yamasaki;and T. Ohno
