Fabrication and photoluminescence of SiC quantum dots stemming from 3C, 6H, and 4H polytypes of bulk SiC
Fabrication and photoluminescence of SiC quantum dots stemming from 3C, 6H, and 4H polytypes of bulk SiC
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基于 3C、6H 和 4H 块状 SiC 多型体的 SiC 量子点的制备和光致发光
DOI：
10.1063/1.4755778
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发表时间：
2012-09-24
影响因子：
4
通讯作者：
Xiao, Min
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fan, Jiyang;Li, Hongxia;Xiao, Min
我们报道了胶体SiC量子点（QD）的制造和光致发光特性的起源，分别从减少不同的多型体（3C，6H，和4H）的块状SiC晶体，使用电化学方法。这三种类型的SiC量子点显示出意想不到的非常相似的光致发光，光致发光激发，和瞬态光致发光特性。利用超声波驱动下胶体SiC量子点的多型转变解释了这一奇怪现象。我们的研究结果将大大加深我们对纳米SiC的基本物理的理解。
We report the fabrication and photoluminescence properties of the colloidal SiC quantum dots (QDs) stemming, respectively, from diminishing different polytypes (3C, 6H, and 4H) of bulk SiC crystals using electrochemical method. The three types of obtained SiC QDs show unexpected quite-similar photoluminescence, photoluminescence excitation, and transient photoluminescence properties. This strange phenomenon is explained by using the polytypic transformations of the colloidal SiC QDs driven by ultrasonic waves. Our results will greatly deepen our understanding of the fundamental physics of nanoscale SiC.