The tracer diffusion of Ge in Ni single crystals
The tracer diffusion of Ge in Ni single crystals
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Ge在Ni单晶中的示踪扩散
DOI：
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发表时间：
1983
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Lerner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Mantl;S. J. Rothman;L. Nowicki;J. Lerner
用切片技术测定了68Ge在高纯度（纯度超过99.99%）Ni单晶中的扩散。log D与1/T的关系曲线为939 ~ 1675K， D值超过61/2个数量级，参数D0=2.10+或0.47 cm2 s-1， Q=2.74+或0.03 eV（264+或3 kJ mol-1）。数据表明Ni具有较低的锗空位结合焓。
The diffusion of 68Ge in single crystals of high-purity (over 99.99% pure) Ni has been measured using the sectioning technique. The plot of log D versus 1/T is straight from 939 to 1675K, over 61/2 orders of magnitude in D, with parameters D0=2.10+or-0.47 cm2 s-1, Q=2.74+or-0.03 eV (264+or-3 kJ mol-1). The data suggest a low Ge-vacancy binding enthalpy for Ni.