4層グラフェンを用いた量子ドットデバイスの垂直磁場依存性
4層グラフェンを用いた量子ドットデバイスの垂直磁場依存性
复制标题
使用四层石墨烯的量子点器件的垂直磁场依赖性
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
羽田野剛司
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
加藤拓;岩崎拓哉;渡邊賢司;谷口尚;森山悟士;羽田野剛司
