Interface Properties of n-GaN MIS Diodes with ZrO2/Al2O3 Laminated Films as a Gate Insulator
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以 ZrO2/Al2O3 叠层薄膜作为栅极绝缘体的 n-GaN MIS 二极管的界面特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kodama;H. Tokuda;and M. Kuzuhara
