酸化排除による高品質SiC MOS界面の形成（次世代パワー半導体の開発・評価と実用化）
酸化排除による高品質SiC MOS界面の形成（次世代パワー半導体の開発・評価と実用化）
复制标题
通过消除氧化形成高质量的SiC MOS界面（下一代功率半导体的开发、评估和实际应用）
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
木本恒暢
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
小林拓真;木本恒暢
