1.5μm light emission from Er-doped low-x SiO_x with widegap semiconductor carrier injection layers
1.5μm light emission from Er-doped low-x SiO_x with widegap semiconductor carrier injection layers
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具有宽禁带半导体载流子注入层的掺铒低 x SiO_x 的 1.5μm 光发射
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Soneda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
LAZEA Andrada;寺地徳之;小泉聡;Takanobu Kiss;Ken Takeuchi;高萩和宏,佐野栄一,池辺将之;楢原浩一;S. Soneda
