Hole-mask colloidal lithography
Hole-mask colloidal lithography
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DOI：
10.1002/adma.200700680
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发表时间：
2007-12-03
影响因子：
29.4
通讯作者：
Kasemo, Bengt
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fredriksson, Hans;Alaverdyan, Yury;Kasemo, Bengt
孔掩胶体光刻(HCL)是一种基于胶体自组装光刻图形的、真正通用且简单的自下而上的纳米制造方法。HCL技术提供了一种有效的方法来图案化具有不同功能的纳米结构的大面积表面。实例包括纳米盘阵列、定向椭圆纳米结构、(二元)纳米盘对、延伸表面上的纳米锥体和嵌入在周围基质中的纳米盘。
Hole-mask colloidal lithography (HCL) represents a truly versatile and simple bottom-up nanofabrication method based on colloidal self-assembly lithographic patterning. The HCL technique provides an effective means of patterning vast surface areas with diverse functional nanoarchitectures. Examples include arrays of nanodiscs, oriented elliptical nanostructures, (binary) nanodisc pairs, nanocones on extended surfaces and nanodiscs embedded in a surrounding, matrix.