基盤上で変形した単層カーボンナノチューブの電荷移動と仕事関数

基盤上で変形した単層カーボンナノチューブの電荷移動と仕事関数
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基底上变形的单壁碳纳米管的电荷转移和功函数

DOI:
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发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
西館数芽
西館数芽
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
長谷川正之;西館数芽

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