放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価
放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価
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使用同步加速器辐射评估 GaN 基混合晶体半导体和 GaN 基量子壳的局部结构
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮嶋孝夫，清木良麻，近藤剣，市川貴登，伊奈稔哲，新田清文，宇留賀朋哉，鶴田一樹，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，安田伸広，三好実人，今井大地，竹内哲也，上山智
中科院分区：
文献类型：
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作者：
宮嶋孝夫;山田祐輔;市川貴登;今井大地;鮫島俊之;宮嶋孝夫，清木良麻，近藤剣，市川貴登，伊奈稔哲，新田清文，宇留賀朋哉，鶴田一樹，隅谷和嗣，今井康彦，木村滋，安田伸広，三好実人，今井大地，竹内哲也，上山智
