Control of Al2O3/InAlN interface by two-step atomic layer deposition combined with high-temperature annealing
Control of Al2O3/InAlN interface by two-step atomic layer deposition combined with high-temperature annealing
复制标题
两步原子层沉积结合高温退火控制Al2O3/InAlN界面
DOI：
10.7567/jjap.53.04ef06
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and M. Akazawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Nakano;M. Chiba;and M. Akazawa
