Impact of Doping Concentration Regimes on Low-Temperature Tunneling in Nanoscale SOI-FETs
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掺杂浓度制度对纳米级 SOI-FET 低温隧道效应的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Michiharu Tabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daniel Moraru;Yuuki Takasu;Takahiro Tsutaya;Arup Samanta;Le The Anh;Muruganathan Manoharan;Takeshi Mizuno;Hiroshi Mizuta;Michiharu Tabe
