Yasuhiko Ishikawa,Shigenori Makita,Jianhua Zhang,Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: "Capacitance-Voltage Study of Silicon-on-Insulator Structure with an Ultrthin Buried SiO_2 Layer Fabricated by Wafer Bonding"Japanese Joumal of Applied Physice. 38・7B.
Yasuhiko Ishikawa,Shigenori Makita,Jianhua Zhang,Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: "Capacitance-Voltage Study of Silicon-on-Insulator Structure with an Ultrthin Buried SiO_2 Layer Fabricated by Wafer Bonding"Japanese Joumal of Applied Physice. 38・7B.
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Yasuhiko Ishikawa、Shigenori Makita、Jianhua Zhang、Toshiaki Tsuchiya 和 Michiharu Tabe：“通过晶圆键合制造的超薄埋入 SiO_2 层的绝缘体上硅结构的电容电压研究”日本应用物理学杂志 38・7B。
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