Distributed Equivalent-Circuit Model for Traveling-Wave FET Design
Distributed Equivalent-Circuit Model for Traveling-Wave FET Design
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用于行波 FET 设计的分布式等效电路模型
DOI：
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Heinrich
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Heinrich
基于可靠的理论结果，一个分布式MESFET模型的发展。它由等效电路元件组成，可以直接从FET材料常数和几何形状进行评估。相对于全波分析结果的偏差进行了调查，并显示了一些应用。
Based on reliable theoretical results, a distributed MESFET model is developed. It consists of equivalent-circuit elements which can be evaluated directly from FET material constants and geometry. The deviations with respect to full-wave-analysis results are investigated and some applications are shown.