4端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装
4端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装
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通过 4 端 TiO2-x 薄膜忆阻器元件实现突触特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三宅亮太郎;林侑介;藤平哲也;酒井朗
