A Low-Power Radiation-Hardened Flip-Flop with Stacked Transistors in a 65 nm FDSOI Process
A Low-Power Radiation-Hardened Flip-Flop with Stacked Transistors in a 65 nm FDSOI Process
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采用 65 nm FDSOI 工艺的具有堆叠晶体管的低功耗抗辐射触发器
DOI：
10.1587/transele.e101.c.273
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发表时间：
2018
影响因子：
0.5
通讯作者：
KOBAYASHI Kazutoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
MARUOKA Haruki;HIFUMI Masashi;FURUTA Jun;KOBAYASHI Kazutoshi
