希釈窒化物半導体 GaInNAsSb中の深準位欠陥の解析と制御
希釈窒化物半導体 GaInNAsSb中の深準位欠陥の解析と制御
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稀氮化物半导体GaInNAsSb深能级缺陷分析与控制
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
何 軼倫，宮下 直也，岡田 至崇
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yilun He;Naoya Miyashita;Yoshitaka Okada;山﨑勝也;何 軼倫，宮下 直也，岡田 至崇
