Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成
Al2O3/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成
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Al2O3/Ge 形成后通过等离子体氧化低温形成栅堆叠
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中島 寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛
