S.Nishino, K.Matsumoto, T.Yoshida, Y.Chen and S.K.Lilov: "Epitaxial Growth of 4H-SiC by Sublimation Close Space Technique" Abtract of 2nd European Conference on SiC and Related Materials, Montpellier, France. 27-28 (1998)
S.Nishino, K.Matsumoto, T.Yoshida, Y.Chen and S.K.Lilov: "Epitaxial Growth of 4H-SiC by Sublimation Close Space Technique" Abtract of 2nd European Conference on SiC and Related Materials, Montpellier, France. 27-28 (1998)
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S.Nishino、K.Matsumoto、T.Yoshida、Y.Chen 和 S.K.Lilov：“通过升华近距离技术外延生长 4H-SiC”第二届欧洲 SiC 及相关材料会议摘要，法国蒙彼利埃。
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