Experimental evidence of valence band deformation due to strain in inverted hole channel of strained-Si pMOSFETs
Experimental evidence of valence band deformation due to strain in inverted hole channel of strained-Si pMOSFETs
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应变 Si pMOSFET 的倒置空穴沟道中的应变导致价带变形的实验证据
DOI：
10.1016/s0040-6090(00)00876-2
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tezuka;A. Kurobe;N. Sugiyama;S. Takagi
