D. Lee et al.: "Phosphorus Doping in Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Growth by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Using a SiH_4GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H_2 Gas System"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 40, No. 4B. 2697-2700 (2001)
D. Lee et al.: "Phosphorus Doping in Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Growth by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Using a SiH_4GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H_2 Gas System"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 40, No. 4B. 2697-2700 (2001)
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D.Lee等人：“使用SiH_4GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H_2气体系统通过低压化学气相沉积在Si_<1-x-y>Ge_xC_y外延生长中掺杂磷”Jpn。
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