Enabling ultra-low-voltage switching in BaTiO3
Enabling ultra-low-voltage switching in BaTiO3
复制标题
DOI：
10.1038/s41563-022-01266-6
复制
发表时间：
2022-05-26
期刊：
影响因子：
41.2
通讯作者：
Martin, L. W.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Y.;Parsonnet, E.;Martin, L. W.
BaTiO 3的单晶显示出小的开关场和能量，但薄膜性能相当差，因此排除了它们在下一代器件中的使用。在这里，我们展示了高品质的钛酸钡薄膜，几乎散装一样的属性。厚度缩放提供了获得矫顽电压（
Single crystals of BaTiO3 exhibit small switching fields and energies, but thin-film performance is considerably worse, thus precluding their use in next-generation devices. Here, we demonstrate high-quality BaTiO3 thin films with nearly bulk-like properties. Thickness scaling provides access to the coercive voltages (