Wafer Fusion for Surface-Normal Optoelectronic Device Applications
Wafer Fusion for Surface-Normal Optoelectronic Device Applications
复制标题
用于表面法线光电器件应用的晶圆融合
DOI：
10.1142/s0129156497000135
复制
发表时间：
1997
影响因子：
--
通讯作者：
K. Carey
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Babic;J. Bowers;E. Hu;Long Yang;K. Carey
本文讨论了与表面法线光电器件（III-V族半导体）熔合技术应用相关的问题。描述了用于开发长波长垂直腔激光器的 InP/GaAs 熔合技术。
This paper discusses the issues connected with the application of fusion bonding technology for surface-normal optoelectronic devices (III-V semiconductors). The InP/GaAs fusion bonding technology employed in the development of long-wavelength vertical-cavity lasers is described.