近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討(II)
近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討(II)
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通过堆叠相邻两层来增加GaAs衬底上InAs-QDs发射波长的研究（二）
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中谷擁平,尾崎信彦,大河内俊介,池田直樹,杉本喜正,Edmund Clarke,Richard Hogg
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Ueda;T.Kanki;H.Tanaka;中谷擁平,尾崎信彦,大河内俊介,池田直樹,杉本喜正,Edmund Clarke,Richard Hogg
