Epitaxial growth of metal-semiconductor van der Waals heterostructures NbS2/MoS(2)with enhanced performance of transistors and photodetectors
Epitaxial growth of metal-semiconductor van der Waals heterostructures NbS2/MoS(2)with enhanced performance of transistors and photodetectors
复制标题
金属半导体范德华异质结构 NbS2/MoS(2) 的外延生长可增强晶体管和光电探测器的性能
DOI：
10.1007/s40843-020-1355-2
复制
发表时间：
2020
影响因子：
8.1
通讯作者：
Gong Yongji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Peng;Bian Ce;Ye Jiafu;Cheng Ningyan;Wang Xingguo;Jiang Huaning;Wei Yi;Zhang Yiwei;Du Yi;Bao Lihong;Hu Weida;Gong Yongji
