Formation of Silicone Carbide Membrane by Radiation Curing of Polycarbosilane and Polyvinylsilane and Its Gas Separation up to 250oC
Formation of Silicone Carbide Membrane by Radiation Curing of Polycarbosilane and Polyvinylsilane and Its Gas Separation up to 250oC
复制标题
聚碳硅烷和聚乙烯硅烷辐射固化碳化硅膜的形成及其250℃以下的气体分离
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R.A.Wach;M.Sugimoto;M.Yoshikawa
