Low temperature fabrication of poly-Si FEA for display application

Low temperature fabrication of poly-Si FEA for display application
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用于显示器应用的多晶硅有限元分析的低温制造

DOI：
10.1109/ivnc.2004.1354936
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发表时间：
2004
期刊：
Technical Digest of the 17th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IEEE Cat. No.04TH8737)
影响因子：
--
通讯作者：
J. Itoh
J. Itoh
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
M. Nagao;Y. Sacho;S. Kanemaru;T. Matsukawa;J. Itoh

文献摘要

被引文献

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一个HfC涂层的多晶硅场致发射体阵列被制造成适合于使用玻璃基板的显示器应用。低温氩离子溅射通过针尖锐化提高了发射可靠性，而HfC涂层解决了均匀性和发射寿命问题。
A HfC-coated poly-Si field emitter array was fabricated to be suitable for display applications using glass substrates. Low temperature Ar ion sputtering improved the emission reliability by tip sharpening while the HfC coating solved the uniformity and emission lifetime problems.