第一原理計算によるシリコン単原子空孔の局在電子状態
第一原理計算によるシリコン単原子空孔の局在電子状態
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基于第一性原理计算的硅单原子空位的局域电子态
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
後藤輝孝
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小川貴史;鶴田健二;家富洋;根本祐一;金田寛;後藤輝孝
