Molecular Dynamics Simulation of Oxide and Nitride Etching by CF3+ and Cl+
Molecular Dynamics Simulation of Oxide and Nitride Etching by CF3+ and Cl+
复制标题
CF3 和 Cl 氧化物和氮化物蚀刻的分子动力学模拟
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Satoshi Hamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Charisse Marie D. Cagomoc;Shoichi Taira;Michiro Isobe;Tomoko Ito;Kazuhiro karahashi;Leonid Belau;Eric A. Hudson;Satoshi Hamaguchi
