M.Ogawa,M.Funato,Sz.Fujita 他: "The role of growth rates and buffer layer structures for quality improvement of cubic GaN grown on GaAs"Japanese Jaurnal of Applied Physics. 39・2A. L69-L72 (2000)
M.Ogawa,M.Funato,Sz.Fujita 他: "The role of growth rates and buffer layer structures for quality improvement of cubic GaN grown on GaAs"Japanese Jaurnal of Applied Physics. 39・2A. L69-L72 (2000)
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M.Okawa、M.Funato、Sz.Fujita 等：“生长速率和缓冲层结构对于提高在 GaAs 上生长的立方 GaN 的质量”日本应用物理学杂志 39・2A（2000 年）。 ）
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