Vertical GaN Fin JFET: A Power Device with Short Circuit Robustness at Avalanche Breakdown Voltage
Vertical GaN Fin JFET: A Power Device with Short Circuit Robustness at Avalanche Breakdown Voltage
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垂直 GaN Fin JFET：在雪崩击穿电压下具有短路鲁棒性的功率器件
DOI：
10.1109/irps48227.2022.9764569
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Zhang, Y.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang, R.;Liu, J.;Li, Q.;Pidaparthi, S.;Edwards, A.;Drowley, C.;Zhang, Y.
