Ag-induced zero- and one-dimensional nanostructures on vicinal Si(111)
Ag-induced zero- and one-dimensional nanostructures on vicinal Si(111)
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Ag 诱导的邻位 Si(111) 上的零维和一维纳米结构
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Ortega
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Kuntze;A. Mugarza;J. Ortega
本文报道了银稳定的正则阶梯晶格在附近的Si(111)错切向[112]方向的形成。通过单畴Si(111)-(3×1)-Ag重构，避免了清洁表面的阶跃聚束特性。该纳米结构表面被用作模板，用于生长尺寸为1 nm的银量子点的一维阵列，沿行的择优间距为1.5 nm。
The formation of a Ag-stabilized regular step lattice on vicinal Si(111) miscut towards [112] is reported. The step bunching characteristic of the clean surface is prevented by single-domain Si(111)-(3×1)-Ag reconstruction. The nanostructured surface is used as a template for growing one-dimensional arrays of 1 nm sized Ag quantum dots with a preferential spacing of 1.5 nm along the rows.