Anisotropic oxygen reactive ion etching for removing a residual layer of 45-nm-linewidth imprint patterns
Anisotropic oxygen reactive ion etching for removing a residual layer of 45-nm-linewidth imprint patterns
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用于去除 45 纳米线宽压印图案残留层的各向异性氧反应离子蚀刻
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaru Nakagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuya Uehara;Shoichi Kubo;Nobuya Hiroshiba;Masaru Nakagawa
