Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
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采用 Mist-CVD 法使用 Al2O3 绝缘膜的 AlGaN/GaN MIS-HEMT 的电特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中村 有水
中科院分区：
文献类型：
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作者：
ロー ルイ シャン;永瀬 樹;バラトフ アリ;アスバル ジョエル タクラ;徳田 博邦;葛原 正明;谷田部 然治;内藤 健太;本山 智洋;中村 有水
