Si(CH3)4の放電分解によるa-SiCx:H薄膜の形成 ― 表面O原子と膜厚に関する考察
Si(CH3)4の放電分解によるa-SiCx:H薄膜の形成 ― 表面O原子と膜厚に関する考察
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Si(CH3)4放电分解形成a-SiCx:H薄膜——表面O原子和膜厚的讨论
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
伊藤治彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
飯澤仁規;斎藤秀俊;伊藤治彦;関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦;伊藤治彦
