Katsumi Kishino et al.: "Improved molecular beam epitaxy for fabricating AIGaN/GaN heterojunction devices"physica status solidi (a). (to be published). (2002)
Katsumi Kishino et al.: "Improved molecular beam epitaxy for fabricating AIGaN/GaN heterojunction devices"physica status solidi (a). (to be published). (2002)
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Katsumi Kishino 等人：“用于制造 AIGaN/GaN 异质结器件的改进分子束外延”物理状态固体 (a)。
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