超音波脳刺激に適した圧電性マイクロトランスデューサの一構成法 ー物理モデルの数値計算と構造サイズ間の近似式の提案ー
超音波脳刺激に適した圧電性マイクロトランスデューサの一構成法 ー物理モデルの数値計算と構造サイズ間の近似式の提案ー
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一种适用于超声脑刺激的压电微传感器的配置方法-物理模型的数值计算和结构尺寸之间的近似公式的提出-
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古川凌， 舘野高
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahashi Sota;Muramatsu Shuto;Nishikawa Jun;Satoh Kazuo;Murakami Shuichi;Tateno Takashi;TATENO Takashi;古川凌， 舘野高
