H.Hasegawa: "Evolution Mechanism of Nearly-Pinning Platinum/N-Typelndium phoshide Interface with a High Schottky Barrier Height by In-Site Electrochemical Process Frec" J.Vac.Sci.Technol.B.Vol 15. 1227-1235 (1997)
H.Hasegawa: "Evolution Mechanism of Nearly-Pinning Platinum/N-Typelndium phoshide Interface with a High Schottky Barrier Height by In-Site Electrochemical Process Frec" J.Vac.Sci.Technol.B.Vol 15. 1227-1235 (1997)
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H.Hasekawa：“通过现场电化学过程 Frec 实现具有高肖特基势垒高度的近钉扎铂/N 型磷化铟界面的演化机制”J.Vac.Sci.Technol.B.Vol 15. 1227-1235 (1997
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