ナノスケールMOSFETにおけるキャリア散乱効果
ナノスケールMOSFETにおけるキャリア散乱効果
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纳米级 MOSFET 中的载流子散射效应
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
土屋 英昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
関正人;石川亮;本城和彦;土屋 英昭
