A Surface-Silylated Single-Layer Resist UsingO Chemical Amplification for Deep UV Lithography : IIIb. Optimization of PAG and Its Content
A Surface-Silylated Single-Layer Resist UsingO Chemical Amplification for Deep UV Lithography : IIIb. Optimization of PAG and Its Content
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使用化学放大进行深紫外光刻的表面硅烷化单层抗蚀剂：IIIb。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuyuki Sugita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuyuki Sugita
