Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC
Enhanced tunneling current and low contact resistivity at Mg contacts on heavily phosphorus-ion-implanted SiC
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大量磷离子注入的 SiC 上的镁接触处增强了隧道电流并降低了接触电阻率
DOI：
10.35848/1882-0786/acb98b
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发表时间：
2023
影响因子：
2.3
通讯作者：
Kimoto Tsunenobu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hara Masahiro;Kaneko Mitsuaki;Kimoto Tsunenobu
