ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa_2O_3成長
ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa_2O_3成長
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采用雾气CVD法在GaN衬底上生长Ga_2O_3
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本田徹一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
多次見大樹;奥秋良隆;畠山匠;金子健太郎;藤田静雄;尾沼猛儀;山口智広;本田徹一
