Characteristics improvement of HfO_2/Ge gate stack structure by fluorinetreatment of germanium surface
Characteristics improvement of HfO_2/Ge gate stack structure by fluorinetreatment of germanium surface
复制标题
锗表面氟处理改善HfO_2/Ge栅叠层结构特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Okuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Lee;D. H. Lee;T. Kanashima;M. Okuyama
