Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS
Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS
复制标题
p型宽带隙半导体CuxZnyS的沉积
DOI：
10.1063/1.4968253
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Ichimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
信田真孝;細川大介;倉井聡;岡田成仁;只友一行;山田陽一;M. Ichimura
